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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
STB80NF55-06T4

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STB80NF55-06T4

Fabricante Modelo do ProdutoSTB80NF55-06T4
FabricanteSTMicroelectronics
Parte da descriçãoMOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Fichas de dados ST(B,P)80NF55-06(-1,FP)
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Condição de estoquein stock
Navio DeHong Kong
Caminho de embarqueDHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
  • Estoque:in stock
  • Ordem mínima:1
  • Múltiplo de:1

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Especificações
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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK
Série STripFET™ II RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc) Embalagem Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Outros nomes 497-6558-1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited) Tempo de entrega padrão do fabricante 38 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 189nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica FET - Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55V Descrição detalhada N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 

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